3D X-DRAM Teknolojisi HBM Yerine Geçmeye Hazırlanıyor

Teknoloji gündeminde öne çıkan son gelişme: Haberler AI ile Özetle 3D X-DRAM Teknolojisi HBM Yerine Geçmeye Hazırlanıyor NEO Semiconductor, 10 kat yoğunluk sunan 3D X-DRAM teknolojisinde kavram kanıtlama aşamasını başarıyla tamamladı. Yapay zeka ve sunucu dünyası için yeni bir dönem başlıyor. Ender Öztürk 26 Nisan 2026 ABD merkezli NEO Semiconductor, yapay zeka ve yüksek performanslı bilgi işlem dünyasında çığır açması beklenen 3D X-DRAM teknolojisi için kavram kanıtlama (Proof-of-Concept) aşamasını başarıyla tamamladığını duyurdu.

2023 yılında tanıtılan bu yenilikçi mimari, geleneksel DRAM kapasite darboğazını aşmak için 3D NAND benzeri bir yapıdan yararlanıyor. Geleneksel DRAM’e kıyasla 10 kat daha fazla yoğunluk sunan bu teknoloji, maliyet etkinliği ve yüksek üretim verimliliği ile dikkat çekiyor. Şirket, elde edilen başarılı test sonuçlarıyla birlikte, yeni nesil bellek çözümlerinin sunucu dünyasında standart haline gelmesi için önemli bir adım atmış oldu.

Teknolojik Detaylar

3D X-DRAM teknolojisi, geleneksel DRAM belleklerine oranla 10 kat daha yüksek yoğunluk kapasitesi sunmaktadır. Kavram kanıtlama testlerinde 10 nanosaniyenin altında okuma ve yazma gecikme sürelerine ulaşıldı. Yeni mimari, 3D NAND üretim altyapısı kullanılarak mevcut tesislerde hızlı bir şekilde entegre edilebilmektedir.

3D X-DRAM Teknolojisi Yeni Nesil Bellek İhtiyaçlarını Karşılıyor NEO Semiconductor tarafından geliştirilen 1T1C ve 3T0C hücre yapıları, farklı uygulama alanlarına yönelik özel çözümler sunuyor. 1T1C mimarisi, mevcut DRAM ve HBM yol haritalarıyla tam uyumluluk sağlarken, 3T0C yapısı yapay zeka iş yükleri ve bellek içi hesaplama süreçleri için optimize edilmiş durumda. Bu teknoloji, çoklu katmanlı yapısıyla HBM’nin karmaşık ve pahalı istifleme süreçlerine alternatif bir monolitik mimari sunuyor.

3D X-DRAM, HBM’ye göre daha kolay üretilebilir yapısıyla veri merkezi maliyetlerini önemli ölçüde düşürüyor. Test Sonuçları Yüksek Performans Değerlerini Doğruluyor Gerçekleştirilen teknik simülasyonlar ve prototip testleri, IGZO kanal teknolojisinin gücünü gözler önüne seriyor. 85 derecelik sıcaklıkta dahi 1 saniyenin üzerinde veri saklama süresi sunan bu bellekler, JEDEC standartlarını 15 kat geride bırakıyor.

Sektörel Yansımalar

10 üzeri 14 döngüye kadar çıkan dayanıklılık seviyesi, söz konusu teknolojinin uzun ömürlü kullanım senaryolarına ne kadar uygun olduğunu kanıtlıyor. Sektördeki Rekabet Hızla Artıyor Yapay zeka ve HPC segmentlerinde artan bellek ihtiyacı, Intel gibi devlerin de ZAM (Z-Angle Memory) gibi kendi çözümlerini geliştirmesine yol açıyor. Henüz seri üretim aşamasında olmasalar da, her iki teknoloji de önümüzdeki on yıl içerisinde sunucu pazarında devrim yaratmaya hazırlanıyor.

Yatırımcıların ilgisi ve sürekli devam eden geliştirme süreçleri, DRAM mimarisinin geleceğinin 3D tabanlı çözümlere kaydığını net bir şekilde gösteriyor. Sizce 3D X-DRAM teknolojisi, HBM’nin tahtını sarsarak bellek piyasasında yeni bir standart belirleyebilir mi? Görüşlerinizi yorumlarda bizimle paylaşın.

Bu haber, yapay zeka alanındaki rekabeti daha da kızıştıracak nitelikte. Sektör uzmanları, gelişmenin uzun vadeli etkilerini değerlendiriyor.