Samsung vs SK hynix: Yeni nesil DRAM yarışı

Yapay zeka alanında çarpıcı bir gelişme haberi geldi. Editör Hakkında Diğer Haberleri 359 Takipçi Metin Akpınar Teknoloji Editörü Teknoloji ve bilim dünyasını seven ve takip etmekten büyük zevk alan Metin, öğrendiklerini ise DonanımHaber okuyucuları ile paylaşır. Honda, elektrikli motosikletler için “sahte debriyaj” hazırlıyor 2 sa. Otonom araçlar için yeni LiDAR çipi: Hareketli parça yok 2 sa.

Instagram DM’lerde uçtan uca şifreleme dönemi sona erdi 5 sa. Tümünü Göster Teknoloji Editörü Yapay zeka veri merkezlerine yönelik yatırımların hız kazanmasıyla birlikte bellek sektöründe yaşanan talep patlaması, üreticileri yeni nesil DRAM teknolojileri geliştirmeye zorluyor. Özellikle HBM, DRAM ve diğer gelişmiş bellek çözümlerine yönelik artan ihtiyaç, aynı üretim materyallerine bağımlı olan tedarik zincirinde baskıyı artırırken sektörün önde gelen iki şirketi Samsung ve SK hynix’in farklı üretim stratejileri üzerinde çalıştığı belirtiliyor.

Teknolojik Detaylar

Sektör kaynaklarına göre Samsung, yeni nesil DRAM üretiminde bugüne kadar daha çok işlemci tarafında kullanılan Gate-All-Around FET (GAAFET) teknolojisini değerlendirmeye başladı. SK hynix ise bunun yerine dikey istifleme temelli farklı bir mimari üzerinde yoğunlaşıyor. Samsung, NAND tekniklerini DRAM’e taşıyor Bellek çiplerinde kullanılan üretim süreçleri, işlemcilerdeki nanometre tabanlı adlandırma sisteminden farklı bir yapıya sahip.

DRAM ve diğer bellek ürünlerinde üretim süreçleri genellikle “1c” gibi harf tabanlı kodlarla ifade ediliyor ve bu kodlar çoğunlukla 10 nanometre ve altındaki üretim teknolojilerini temsil ediyor. DRAM üretimini işlemcilerden ayıran en önemli unsur ise veri depolama için kullanılan kapasitör yapısı. Her DRAM hücresinde bir transistör ve bir kapasitör birlikte çalışıyor.

Üretim süreçleri küçüldükçe, kapasitörün işlevini sürdürebilecek fiziksel boyutları korumak giderek zorlaşıyor. Bu nedenle üreticiler, daha yüksek yoğunluk sağlayabilmek adına yeni mimari çözümler arıyor. Samsung’un üzerinde çalıştığı yöntemlerden biri, işlemci üretiminde kullanılan GAAFET teknolojisini DRAM tasarımına uyarlamak.

Sektörel Yansımalar

GAAFET mimarisinde transistör kapısı, akımın geçtiği kanal yapısını çevreliyor. Bu yapı sayesinde kapının kanal üzerindeki kontrolü artıyor ve performans ile enerji verimliliğinde iyileşme sağlanabiliyor. AMD’nin canavar EPYC Venice işlemcileri bu yıl geliyor 9 sa.

önce eklendi Ancak DRAM tasarımı yalnızca transistörlerden oluşmadığı için Samsung’un karşısında ek mühendislik sorunları bulunuyor. Şirketin, GAAFET transistörünü kapasitör yapısıyla aynı DRAM hücresine entegre etmesi gerekiyor. Kaynaklara göre Samsung’un değerlendirdiği çözümlerden biri, NAND flaş belleklerde kullanılan yönteme benzer şekilde okuma ve yazma işlemlerini yöneten devreleri bellek dizisinin altına yerleştirmek.

Böylece daha kompakt bir yapı elde edilmesi ve üretim yoğunluğunun artırılması hedefleniyor.

Bu haber, yapay zeka alanındaki rekabeti daha da kızıştıracak nitelikte. Sektör uzmanları, gelişmenin uzun vadeli etkilerini değerlendiriyor.